Как попасть на кафедру?
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
2
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
3
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417 94 73
kafedra@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417-94-65
director@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле
Бовкун Л. С. ・ 26 апреля 2018г.
Основы цифровых измерительных приборов
Яблоков А. А. ・ 12 апреля 2018г.
Фазовые солитоны в двузонных сверхпроводниках
Марычев П. М. ・ 5 апреля 2018г.
Рентгеновская микроскопия в диапазоне длин волн «окна прозрачности воды»
Малышев И. В. ・ 22 марта 2018г.
Незатухающий ток в металлических и сверхпроводящих кольцах
Вадимов В. Л. ・ 1 марта 2018г.
Структура электронных мод в майорановских нанопроводах
Копасов А. А. ・ 15 февраля 2018г.
«Спектроскопия» уровней Ландау КЯ HgTe/CdHgTe магнитотранспортным методом
Кадыков А. М. ・ 1 февраля 2018г.
Рентгеновский фазовый контраст
Свечников М. В. ・ 14 декабря 2017г.
Электронная структура нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием
Конаков А. А. ・ 9 ноября 2017г.
Введение в вакуумную технику для аспирантов и студентов
Нечай А. Н. ・ 19 октября 2017г.
Особенности роста нитрида индия методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Бушуйкин П. А. ・ 12 октября 2017г.
Оже-рекомбинация в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах на основе HgCdTe
Фадеев М. А. ・ 28 сентября 2017г.