Самоформирование наноостровков (квантовых точек) SiGe на подложках Si(001)

Руководитель

Лобанов Дмитрий Николаевич

Краткое описание работы

Учебно-научный эксперимент посвящён ознакомлению на примере гетеропары германий — кремний с физическими и технологическими основами метода молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наноструктур. В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески доступными такие новые приборы как быстродействующие гетеробиполярные транзисторы (HBT) и полевые транзисторы на основе селективно легированных структур (MODFET) c улучшенными шумовыми характеристиками, резонансно-туннельные диоды повышенной мощности и лучшими усиливающими характеристиками, а также гетеролазеры с низкими пороговыми токами и большими значениями коэффициента усиления и высокой температурной стабильностью.

Список оборудования

• Высоковакуумная 3-х камерная (камеры: шлюзовая, загрузочная, ростовая) установка молекулярно-пучковой эпитаксии «BALZERS» UMS-500P.
• Манипулятор подложек в ростовой камере SH100-2 производства фирмы Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH
• Блок электронно-лучевых испарителей (6 и 11 кВ) производства «BALZERS».
• Квадрупольный масс-спектрометр BALZERS QMG 420.
• Инфракрасный пирометр IS 12 производства IMPAC Infrared GmbH.
• Откачная система камер роста и загрузочной на базе турбомолекулярных (TMH 520 и TMU 261) и форвакуумных насосов производства Pfeiffer.
• Программа управления ростовым процессом, разработанная в ИФМ РАН.

Учебно-методическое пособие

Метод молекулярно-пучковой эпитаксии и его применение для формирования SiGe наноструктур