Излучательные характеристики p-n перехода

Руководитель

Красильникова Людмила Владимировна

Краткое описание работы

При рекомбинации в полупроводнике неравновесных электронно-дырочных пар, часть энергии может излучиться в виде квантов света. Такой процесс называется излучательной рекомбинацией — люминесценцией. Один из наиболее удобных способов возбуждения полупроводника — пропускание прямого тока через p-n-переход, т. е. инжекция неосновных носителей. Излучательная рекомбинация, возбуждаемая прямым током через p-n-переход, называется инжекционной электролюминесценцией. При этом в полупроводниковых диодах происходит прямое преобразование энергии электрического тока в энергию света.

Лабораторная работа посвящена экспериментальному исследованию излучательных характеристик светодиодов из GaAs и GaAs_1-xP_x.

Список оборудования

• Лабораторный стабилизированный источник питания с высокой стабильностью выходных величин ТЕС-41
• Цифровой вольтметр В7-38
• монохроматор МДР-23, выполненный по асимметричной схеме Фасти со сферическими зеркальными объективами
• Синхродетектор Unipan 232B
• фотоэлектронный умножитель ФЭУ-100 (диапазон чувствительности 200 — 800 нм)
• фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62 (диапазон чувствительности 650 — 1200 нм)
• Светодиоды АЛ307А, АЛ107А

Учебно-методическое пособие

Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.75-94.