Как попасть на кафедру?
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
2
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
3
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417 94 73
kafedra@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417-94-65
director@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
Кудрявцев Константин Евгеньевич
Лабораторная работа посвящена измерению вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик образцов промышленных кремниевых диодов — варикапов при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Измерения проводятся в автоматическом режиме с записью файлов данных в память ЭВМ при развертке постоянного напряжения, прикладываемого к диоду (p-n переходу) — в прямом направлении при измерении вольт-амперной и в обратном направлении при измерении вольт-фарадной характеристик. В рамках упрощенной модели рассматривается свойства p-n перехода в условиях равновесия и при приложении прямого либо обратного напряжения. Из данных измерений определяются значения контактной разности потенциалов, приведенной концентрации носителей и ширины p-n перехода. Обсуждаются различные механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках в интервале температур 77 — 300 К.