Как попасть на кафедру?
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
2
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
3
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417 94 73
kafedra@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417-94-65
director@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
Кудрявцев Константин Евгеньевич
Лабораторная работа посвящена определению высоты потенциального барьера, формируемого на границе металл — полупроводник. Для определения высоты барьера используемый метод энергии активации. Метод состоит в регистрации вольт-амперных характеристик (ВАХ) диода Шоттки в области прямых смещений в диапазоне температур 180-300K. Высота барьера определяется по температурной зависимости тока насыщения диода Шоттки.
Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.21-36.