Циклотронный резонанс в полупроводниках

Руководитель

Фадеев Михаил Александрович

Краткое описание работы

В данной работе предполагается исследование спектров циклотронного резонанса электронов и дырок в Ge в миллиметровом диапазоне длин волн (λ ~ 2мм). Работа выполняется при температуре жидкого гелия при фотовозбуждении носителей заряда. Предполагается определение эффективных масс носителей и их анизотропии.

Список оборудования

• Генератор сигналов высокочастотный программируемый Г4-161;
• Генератор импульсов Г5-56;
• Транспортный гелиевый сосуд Дьюара СТГ-40;
• Криогенная вставка в транспортный гелиевый сосуд Дьюара со сверхпроводящим соленоидом. Данная вставка разработана и изготовлена в ИФМ РАН.
• Усилитель Unipan 232B с предусилителем 232-6 и схемой смещения, собранной в ИФМ РАН;
• Синхродетектор Stanford Research Systems SR830;
• Цифровой осциллограф LeCroy WaveJet 324A;
• Источник тока СТС-60;
• Цифровой вольтметр APPA 79.

Учебно-методическое пособие

Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.46-74.