Фотолюминесценция полупроводниковых сверхрешеток

Руководитель

Красильникова Людмила Владимировна

Краткое описание работы

В настоящее время полупроводниковые сверхрешетки (СР) представляют собой одну из наиболее быстро развивающихся областей физики твердого тела. Они являются объектами особого интереса для физиков. Композиционные СР и особенно легированные СР с их широкими возможностями перестройки представляют собой важный новый класс полупроводников, оказывающий большое влияние не только на физику твердого тела, но также на современную технологию электронных приборов. Основным элементом, составляющим СР, является одиночная квантовая яма.

В данной работе предлагается провести измерение спектра фотолюминесценции полупроводника n-GaAs, структуры, содержащей квантовую яму InGaAs/GaAs, а также многоямной гетероструктуры AlGaAs/GaAs.

Список оборудования

• непрерывный газовый (Ar⁺) лазер Stabilite 2017-05S «Spectra-Physics», длина волны излучения 514.5 нм
• монохроматор МДР-23, выполненный по асимметричной схеме Фасти со сферическими зеркальными объективами
• Синхродетектор Unipan 232B
• фотоэлектронный умножитель ФЭУ-62 (диапазон чувствительности 650 — 1200 нм)
• сосуд Дьюара для жидкого азота
• структура с эпитаксиальной пленкой GaAs
• гетероструктуры InGaAs/GaAs и AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами

Учебно-методическое пособие

Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.95-110.