Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых гетероструктурах

Руководитель

Бушуйкин Павел Александрович

Краткое описание работы

Лабораторная работа посвящена измерению спектров фононов в полупроводниковых

гетероструктурах. Изменения состава, деформации материала меняют кристаллическую структуру, и тем самым проявляются в изменениях колебательных, фононных спектров. Одним из методов структурного анализа, позволяющим исследовать фононные спектры и их изменения, является спектроскопия комбинационного рассеяния света. Суть данного метода состоит в измерении спектра рассеянного от структуры излучения лазера. При неупругом рассеянии света поглощается квант падающего излучения и рождается квант рассеянного излучения, при этом происходит рождение или уничтожение кванта (или квантов) возбуждений кристалла, например, возбуждаются колебания кристаллической решетки (фононы).

Список оборудования

• Газовый лазер (514.5 nm Ar⁺ Ion laser) Spectra-Physics Stabilite 2017-05S
• Двойной монохроматор ДФС-52 (ЛОМО)
• Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-136