Как попасть на кафедру?
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
2
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
3
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417 94 73
kafedra@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417-94-65
director@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
Фадеев Михаил Александрович
Цель работы — наблюдение квантования холловского (поперечного) сопротивления двумерных электронов — явления, за открытие которого в 1985 г. К. фон Клитцингу была присуждена Нобелевская премия. В работе измеряется зависимость сопротивления прямоугольной пластинки гетероструктуры InAs/AlSb с квантовой ямой, в которой находится двумерный электронный газ с высокой подвижностью. Измерения проводятся при температуре жидкого гелия в транспортном гелиевом дьюаре, магнитное поле до 3 Тл создается сверхпроводящим гелиевым соленоидом. По взаимному расположению ступенек на зависимости R(H), т. е. квантованных значений сопротивления, определяется фактор заполнения уровней Ландау, т. е. сколько уровней Ландау заполнено электронами в данном магнитном поле.
Цифровой источник тока или напряжения Keithley 2400;
Цифровой мультиметр Keithley 2000;
Транспортный гелиевый сосуд Дьюара СТГ-40;
Криогенная вставка в транспортный гелиевый сосуд Дьюара со сверхпроводящим соленоидом. Данная вставка разработана и изготовлена в ИФМ РАН.
Источник тока СТС-60;
Цифровой вольтметр APPA 79.