Владимир Владимирович Румянцев

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников, к.ф.-м.н.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, фотопроводимость, фотолюминесценция, дальний инфракрасный диапазон, узкозонные полупроводники.

Образование

• 2005 : закончил МОУ СОШ № 111, Нижний Новгород;

• 2005 — 2011: студент факультета Высшая школа общей и прикладной физики Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ВШОПФ ННГУ);

• 2011 - наст. вр.: аспирант Института физики микроструктур РАН.

• 2014: защитил кандидатскую диссертацию по теме: «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне», рук. Гавриленко В. И…

Профессиональная карьера

• 2009 — 2011 — инженер-исследователь Института физики микроструктур (ИФМ) РАН, Нижний Новгород, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
• 2011 — 2014 — младший научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород
• 2015 — 2019 — научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород.
• 2019 — н/вр — старший научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород.

Контактная информация