Алексей Витальевич Новиков

И.о. заведующего кафедрой, директор ИФМ РАН, доктор физ.-мат. наук. Заведующий лабораторией технологии и физики полупроводниковых гетероструктур для фотоники отдела физики полупроводников, д.ф.-м.н..

Научные интересы

Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур, кремний, германий, нитриды металлов третьей группы, самоформирующиеся квантовые точки и наноостровки, кремниевая фотоники, спектроскопия люминесценции, полупроводниковые структуры для квантовых вычислений.

Образование

• 1992 — закончил факультет Прикладной физики и микроэлектроники Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
• 1993 — 1996 — аспирант Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, г. Н. Новгород, Россия;
• июнь 2001 — защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)».
• июль 2021 – защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование».

Профессиональная карьера

• 1992 — 1993 — инженер в Научно-исследовательском физико-техническом институте при Нижегородском государственном университете;
• 1996 — 2003 — младший / старший научный сотрудник ИФМ РАН;
• Май — июль 1999 — стажировка в лаборатории проф. Y. Shiraki, University of Tokyo, Tokyo, Japan;
• 2003 — 2015 — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевых структур ИФМ РАН;
• Сентябрь — октябрь 2003 — стажировка в лаборатории проф. O.G. Schmidt, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany;
• Апрель — июнь 2007 — стажировка в лаборатории проф. J. Kolodzey, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, USA;
• 2015 — 2024 — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур ИФМ РАН;
• 2024 — н/в — заведующий лабораторией технологии и физики полупроводниковых гетероструктур для фотоники ИФМ РАН;
• 2018 — 2021— заместитель директора ИФМ РАН по научно-техническому развитию
• 2003 — н/в — доцент Радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, чтение спецкурса лекций «Основы полупроводниковой технологии».
• 2021 — н/в — директор ИФМ РАН
  

Избранные публикации

1. Self-organization of germanium nanoislands obtained in silicon bymolecular-beam epitaxy / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, H. Seyringer, JETP Letters 67 (1), 48-53 (1998).

2. Low-Energy Photoluminescence of Structures with GeSi/Si(001)Self-Assembled Nanoislands / N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, JETP Letters 76, 365 (2002).

3. Growth and photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islandsobtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, A. N. Yablonskiy, Z. F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, Optical Materials 27, 818-821 (2005).

4. Photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islands embedded in atensile-strained Si laye r/ M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physical Letters 88, 011914 (2006).

5. Photoluminescence of dome and hut shaped Ge(Si) self-assembledislands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007).

6. Features of two-dimensional to three-dimensional growth modetransition of Ge in SiGe/Si(001) heterostructures with strainedlayers / D. V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov, Applied Physical Letters 95, 151902 (2009).

7. Observation of the electron-hole liquid in Si1-xGex/Si quantumwells by steady-state and time-resolved photoluminescencemeasurements / V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, M. L. Skorikov, Phys. Rev. B 82, 115313-5 (2010).

8. Distinctions in the Ge wetting layer formation and self-assembledisland nucleation between single- and multilayer SiGe/Si(001)structures / D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, А. V. Novikov, Journal of Crystal Growth 313, 12 (2010).

9. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-basedoptoelectronic / Z. F. Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov, P Werner, Semiconductor Science and Technology 26, 014209 (2011).

10. Usage of antimony segregation for selective doping of Si inmolecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov, Journal of Applied Physics 109, 113533 (2011).

Контакты