Владимир Изяславович Гавриленко

Заместитель директора по научной работе, зав. отделом физики полупроводников, профессор ВШОПФ ННГУ (по совместительству), д. ф.-м. н., профессор.

Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники 1987 г.

Заслуженный профессор ННГУ (2016 г.)

Научные интересы

Терагерцовый отклик двумерных полупроводниковых систем, циклотронный резонанс, мелкие примеси, квантовые каскадные лазеры, приемники терагерцового излучения, горячие носители, коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников.

Образование

Факультет общей и прикладной физики Московского физико-технического института.

Профессиональная карьера

• 1969 — 1975 — учеба в МФТИ;
• 1975 — 1978 — аспирантура в МФТИ;
• 1978 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Исследование магнетоплазменного резонанса в электронно-дырочных каплях в германии»);
• 1978 — 1983 — младший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1983 — 1992 — старший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1987 — учёное звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков»;
• 1992 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Поглощение и испускание электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона длин волн горячими дырками в германии»);
• 1992 — 1993 — зав. лабораторией ИПФ РАН;
• 1994 — 2008 — учёный секретарь, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2007 — учёное звание профессора по специальности «физика полупроводников»;
• 2008 — 2009 — зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2009 — 2015 — зам. директора, зав. отделом, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2015 — 2016 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2016 — 2020 — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2020 — 2021 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН; 
• 2021 — н/вр. — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;

Педагогическая деятельность и научное руководство диссертационными работами

Педагогическая деятельность

• 1986 — 1991 г. — доцент базовой кафедры электрофизики физико-технического факультета Горьковского политехнического института в ИПФ АН СССР;
• 1990 — 1992 г. — доцент, заведующий филиалом кафедр электроники твердого тела и теоретической физики факультета прикладной физики и микроэлектроники ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИПФ АН СССР;
• 1992 — н/вр — профессор Высшей школы общей и прикладной физики ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Диссертации

• 1990 — Никоноров Вячеслав Васильевич «Исследование механизмов индуцированного излучения горячими дырками в Ge по их поглощению и излучению в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волнах» (к.ф.-м.н.)
• 1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO» (к.ф.-м.н.).
• 2000 — Молдавская Мария Давидовна «Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi» (к.ф.-м.н.).
• 2003 — Козлов Дмитрий Владимирович «Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Ерофеева Ирина Викторовна «Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Иконников Антон Владимирович «Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2007 — Маремьянин Кирилл Владимирович «Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах А₃В₅» (к.ф.-м.н.).
• 2008 — Спирин Кирилл Евгеньевич «Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых наноструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Криштопенко Сергей Сергеевич «Спиновые и и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Krishtopenko Sergey «Spin splitting and collective effects in InAs/AlSb quantum well heterostructures» (доктор физики Университета Тулузы, Франция).
• 2014 — Ластовкин Артём Анатольевич «Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2014 — Румянцев Владимир Владимирович «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне» (к.ф.-м.н.).
• 2018 — Bovkun Leonid «Etude de la structure de bande de puits quantiques a base de semi-conducteurs de faible bande interdite HgTe et InAs» (доктор физики Университета Гренобля, Франция).
• 2022  — Морозов Сергей Вячеславович «Стимулированное излучение в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe» (д.ф.-м.н., научный консультант).

Контактная информация