Владимир Изяславович Гавриленко

Заместитель директора по научной работе, зав. отделом физики полупроводников, профессор ВШОПФ ННГУ (по совместительству), д. ф.-м. н., профессор.

Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники 1987 г.

Заслуженный профессор ННГУ (2016 г.)

Персональные данные

Родился 15 декабря 1951 года.

Научные интересы

Терагерцовый отклик двумерных полупроводниковых систем, циклотронный резонанс, мелкие примеси, квантовые каскадные лазеры, приемники терагерцового излучения, горячие носители, коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников.

Образование

Факультет общей и прикладной физики Московского физико-технического института.

Профессиональная карьера

• 1969 — 1975 — учеба в МФТИ;
• 1975 — 1978 — аспирантура в МФТИ;
• 1978 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Исследование магнетоплазменного резонанса в электронно-дырочных каплях в германии»);
• 1978 — 1983 — младший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1983 — 1992 — старший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
• 1987 — учёное звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков»;
• 1992 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Поглощение и испускание электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона длин волн горячими дырками в германии»);
• 1992 — 1993 — зав. лабораторией ИПФ РАН;
• 1994 — 2008 — учёный секретарь, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2007 — учёное звание профессора по специальности «физика полупроводников»;
• 2008 — 2009 — зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2009 — 2015 — зам. директора, зав. отделом, зав. лабораторией ИФМ РАН;
• 2015 — 2016 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2016 — 2020 — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;
• 2020 — 2021 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН; 
• 2021 — н/вр. — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;

Педагогическая деятельность и научное руководство диссертационными работами

Педагогическая деятельность

• 1986 — 1991 г. — доцент базовой кафедры электрофизики физико-технического факультета Горьковского политехнического института в ИПФ АН СССР;
• 1990 — 1992 г. — доцент, заведующий филиалом кафедр электроники твердого тела и теоретической физики факультета прикладной физики и микроэлектроники ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИПФ АН СССР;
• 1992 — н/вр — профессор Высшей школы общей и прикладной физики ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Диссертации

• 1990 — Никоноров Вячеслав Васильевич «Исследование механизмов индуцированного излучения горячими дырками в Ge по их поглощению и излучению в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волнах» (к.ф.-м.н.)
• 1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO» (к.ф.-м.н.).
• 2000 — Молдавская Мария Давидовна «Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi» (к.ф.-м.н.).
• 2003 — Козлов Дмитрий Владимирович «Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Ерофеева Ирина Викторовна «Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2006 — Иконников Антон Владимирович «Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2007 — Маремьянин Кирилл Владимирович «Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах А₃В₅» (к.ф.-м.н.).
• 2008 — Спирин Кирилл Евгеньевич «Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых наноструктурах» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Криштопенко Сергей Сергеевич «Спиновые и и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2011 — Krishtopenko Sergey «Spin splitting and collective effects in InAs/AlSb quantum well heterostructures» (доктор физики Университета Тулузы, Франция).
• 2014 — Ластовкин Артём Анатольевич «Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами» (к.ф.-м.н.).
• 2014 — Румянцев Владимир Владимирович «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне» (к.ф.-м.н.).
• 2018 — Bovkun Leonid «Etude de la structure de bande de puits quantiques a base de semi-conducteurs de faible bande interdite HgTe et InAs» (доктор физики Университета Гренобля, Франция).
• 2022  — Морозов Сергей Вячеславович «Стимулированное излучение в среднем и дальнем инфракрасном диапазонах в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe» (д.ф.-м.н., научный консультант).

Контактная информация