Как попасть на кафедру?
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
2
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
3
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
Следуйте данной инструкции
или оставь онлайн заявку.
Подайте заполненное заявление на базовую кафедру в Институт физики микроструктур РАН, комн. 223.
Пройдите собеседование с заведующим кафедрой
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417 94 73
kafedra@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
C 9:00 до 18:00
+7 (831) 417-94-65
director@ipmras.ru
603950, Россия, Нижний Новгород, ГСП-105
603087, Россия, г. Нижний Новгород, д. Афонино, ул. Академическая, д.7
Научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)
Родился 19 ноября 1993 г.
Терагерцовая спектоскопия двумерных полупроводниковых систем; мелкие примеси; квантовые каскадные лазеры; приемники и источники терагерцового излучения; коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников
2010: закончил лицей № 40 Нижнего Новгорода
2010-2016: студент факультета ВШОПФ Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
2016-2020: аспирант ИФМ РАН
2014-2016: старший лаборант ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»;
2016-2020: младший научный сотрудник ИФМ РАН;
2020 — наст. вр.: научный сотрудник ИФМ РАН.
Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, M. S. Zholudev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and V. I. Gavrilenko, Applied Physics Letters 111 (19), 192101 (2017)
HgCdTe-based heterostructures for Terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winner, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe, APL Materials.5 (3), 035503 (2017)
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Физика и техника полупроводников. 52 (11), 1263-1267 (2018)
Stimulated emission in the 2.8-3.5 μm wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, and S. V. Morozov. Optics Express 26 (10), 12755-12760 (2018)
Magnetooptical Studies and Stimulated Emission in Narrow Gap HgTe/CdHgTe Structures in the Very Long Wavelength Infrared Range / V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov and V. I. Gavrilenko, Semiconductors 52 (4), 436 — 441 (2018)
Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells. / M. S. Zholudev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, W, Knap, J. Torres, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A Dvoretskii and F. Teppe, Condensed Matter, 4 (1), 27 (2019)
Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well / S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, and F. Teppe, Physical Review B 97 (24), 245419 (2018)