Владимир Яковлевич Алешкин

Главный научный сотрудник отдела физики полупроводников, д.ф.-м.н., профессор.

Персональные данные

Родился 30 января 1957 г.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, спектроскопия.

Образование

Школа

Школа №181 г. Горького.

ВУЗ

Физический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

• 1979 — 1991 — инженер, нс, снс ГИФТИ при ННГУ;
• 1991 — 1994 — старший научный сотрудник ИПФ РАН;
• 1994 — н. в. —  снс, внс, гнс ИФМ РАН.

Избранные публикации

• Туннельные переходы в сложной валентной зоне полупроводника / В.Я. Алешкин, Ю. А. Романов, ЖЭТФ 87 (5), 1857 (1984);
• Фотолюминесценция квантовых слоев In_xGa_1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)А арсенида галлия / В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина, ФТП 24 (5), 892 (1990);
• Резонансное туннелирование куперовских пар в системе двух джозефсоновских переходов малых размеров / Д. В. Аверин, В. Я. Алешкин, Письма в ЖЭТФ 50 (7), 331 (1990);
• Исследование квантовых ям C-V методом / В. Я. Алешкин, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, А. В. Мурель, Ю. А. Романов, ФТП 25 (6), 1047 (1991);
• ИК поглощение дырками в структурах с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов, ФТП 27 (2), 329 (1993);
• Туннелирование дырок через гетеробарьер / В. Я. Алешкин, Н. А. Бекин, ЖЭТФ 105 (5), 1396 (1994);
• The conduction band and selection rules for interband optical transitions in strained Ge_1-xSi_x/Ge and Ge_1-xSi_x/Si heterostructures / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, J. Phys. Condens. Matter 9, 4841 (1997);
• Experimental determination of the energy distribution function of hot holes in an InGaAs/GaAs quantum well heterostructure / V. Ya Aleshkin, A. A. Andronov, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil’nik, D. G. Revin, B. N. Zvonkov and E. A. Uskova, Semicond. Sci. Tecnol. 15, 1049 (2000);
• Генерация разностной моды в полупроводниковых лазерах / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. Б. Звонков, ФТП 35 (10), 1256 (2001);
• Резонансные состояния мелких акцепторов в одноосно деформированном германии / Д. В. Козлов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, ЖЭТФ 120 (6), 1495 (2001);
• Coherent approach to transport and noise in double-barrier resonant diodes / V. Ya. Aleshkin, L. Reggiani, N. V. Alkeev, V. E. Lyubchenko, C. N. Ironside, J. M. L. Figuerido and C. R. Stanley, Phys. Rev. B 70, 115321 (2004);
• Nonlinear mode mixing in dual-wavelength semiconductor lasers with tunnel junctions / S. M. Nekorkin, A. A. Biryukov, P. B. Demina, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, and Vl. V. Kocharovsky, Appl. Phys. Lett. 90, 171106 (2007);
• Примесные резонансные состояния в полупроводниках / В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, М. А. Одноблюдов, И. Н. Яссиевич, ФТП, т.42, в.8, сс.899-922 (2008).
• Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Ryzhii, Письма в ЖЭТФ 89 (2), 70 (2009);
• Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами / В. Я. Алешкин, А. А. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков, ЖЭТФ 136 (3), 543 (2009);
• Calculation of the parameters for the Fano resonance in the impurity photocurrent spectrum of semiconductors doped with hydrogen-like donors / V. Ya. Aleshkin, D. I. Burdeiny, L. V. Gavrilenko, Semicond. Sci. Technol. 25 (8), 085005 (2010);
• Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, Письма ЖЭТФ 94 (11), 890 (2011).

Контактная информация